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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
79
左右 -172% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
29
读取速度,GB/s
3,061.8
15.4
写入速度,GB/s
1,468.1
13.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2854
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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