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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
79
左右 -172% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
29
读取速度,GB/s
3,061.8
15.4
写入速度,GB/s
1,468.1
13.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2854
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
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