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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.6
17.9
写入速度,GB/s
12.0
14.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3460
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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