RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3460
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link