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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
29
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
29
读取速度,GB/s
22.8
15.4
写入速度,GB/s
15.4
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2513
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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