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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
26
读取速度,GB/s
22.8
18.3
写入速度,GB/s
15.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3303
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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