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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston KM0VW4-MID 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston KM0VW4-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
38
读取速度,GB/s
12.3
14.7
写入速度,GB/s
8.9
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2493
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
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