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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
13.2
19.9
写入速度,GB/s
7.8
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
3357
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
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