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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
38
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
38
读取速度,GB/s
22.8
14.8
写入速度,GB/s
15.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3094
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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