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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
22
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
22
读取速度,GB/s
22.8
19.1
写入速度,GB/s
15.4
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3509
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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