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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
29
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.9
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
29
读取速度,GB/s
22.8
18.9
写入速度,GB/s
15.4
15.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3744
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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