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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
53
左右 68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
53
读取速度,GB/s
22.8
20.0
写入速度,GB/s
15.4
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2440
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
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