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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
17.9
写入速度,GB/s
15.4
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3755
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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