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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
17.8
写入速度,GB/s
15.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3593
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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