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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
22
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
22
读取速度,GB/s
22.8
16.1
写入速度,GB/s
15.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2340
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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