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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
29
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
29
读取速度,GB/s
22.8
17.9
写入速度,GB/s
15.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3311
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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