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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
33
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
33
读取速度,GB/s
22.8
16.3
写入速度,GB/s
15.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2937
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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