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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
16.5
写入速度,GB/s
15.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2741
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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