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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
15.1
写入速度,GB/s
15.4
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2667
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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