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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
34
读取速度,GB/s
14.7
16.7
写入速度,GB/s
9.2
12.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2584
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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