Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB vs Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

总分
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Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

总分
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Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 30
    左右 10% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    10.2 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.8 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    14900 left arrow 12800
    左右 1.16 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    7.1 left arrow 10.2
  • 写入速度,GB/s
    4.2 left arrow 8.8
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    969 left arrow 1646
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