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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
14900
12800
左右 1.16 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
12.8
10.2
写入速度,GB/s
9.4
8.8
内存带宽,mbps
12800
14900
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
1646
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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