Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Средняя оценка

Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 30

Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.8 10.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 8.8

Среднее значение в тестах

Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

14900 12800

Около 1.16 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

29 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 10.2
Скорость записи, Гб/сек

9.4 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 14900

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2282 1646

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM