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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
22
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
22
读取速度,GB/s
22.8
17.4
写入速度,GB/s
15.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3135
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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