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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
10.9
18.3
写入速度,GB/s
6.6
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3615
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
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