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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
21
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
21
读取速度,GB/s
22.8
19.5
写入速度,GB/s
15.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3512
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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