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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
27
读取速度,GB/s
22.8
18.5
写入速度,GB/s
15.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3061
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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