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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
6,336.8
16.0
写入速度,GB/s
2,935.8
12.3
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2709
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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