RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    6 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,935.8 left arrow 12.3
    テスト平均値
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 45
    周辺 -50% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 6400
    周辺 3.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    6,336.8 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,935.8 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1144 left arrow 2709

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAMの比較

OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
メモリRAM