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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
16.4
写入速度,GB/s
15.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3372
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB RAM的比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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