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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.7
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
17.2
写入速度,GB/s
15.4
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3652
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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