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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
25
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
21
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
19.4
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
25
读取速度,GB/s
22.8
21.0
写入速度,GB/s
15.4
19.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
4129
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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