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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
23
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
17.6
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
23
读取速度,GB/s
22.8
19.6
写入速度,GB/s
15.4
17.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
4100
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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