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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
22
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
17.3
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
22
读取速度,GB/s
22.8
19.3
写入速度,GB/s
15.4
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3653
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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