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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,723.5
17.7
写入速度,GB/s
2,076.1
13.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2666
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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