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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
比较
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
总分
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
总分
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
66
左右 -187% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
23
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
13.2
7.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2429
2361
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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