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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
11.1
写入速度,GB/s
1,857.7
9.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2386
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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