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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
12.0
写入速度,GB/s
8.1
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2034
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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