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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
56
左右 -65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
34
读取速度,GB/s
4,387.7
15.4
写入速度,GB/s
1,813.5
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2780
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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