RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2386
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link