RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2386
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link