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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
8.0
11.8
写入速度,GB/s
7.3
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2585
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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