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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
15.7
写入速度,GB/s
2,622.0
9.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2713
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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