RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2713
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link