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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
38
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
38
读取速度,GB/s
22.8
14.5
写入速度,GB/s
15.4
10.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2429
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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