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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
69
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
69
读取速度,GB/s
11.7
16.4
写入速度,GB/s
7.2
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1995
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XJ69DF-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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