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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
16.7
18.2
写入速度,GB/s
10.0
14.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3510
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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