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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
17.5
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3324
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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