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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.4
16.2
写入速度,GB/s
7.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2944
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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