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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
38
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
38
读取速度,GB/s
22.8
19.3
写入速度,GB/s
15.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3246
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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