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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
24
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
24
读取速度,GB/s
22.8
13.9
写入速度,GB/s
15.4
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2113
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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