RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
20
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
20
读取速度,GB/s
22.8
16.0
写入速度,GB/s
15.4
7.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2414
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
INTENSO M418039 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link